Los FET tienen tres
terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
El funcionamiento
del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente
que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por
las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además,
presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta
para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los
transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET
son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de
una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o
no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son
usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental
de los circuitos integrados o chips digitales.
En la imagen puede verse la simbología y el aspecto físico (dibujo) real de un MOSFET:
Para aclarar lo explicado en el párrafo anterior, la imagen siguiente muestra el aspecto real de un MOSFET IRF510:
