El Transistor de Efecto de Campo (I)

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores basados en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un denominado "canal" en un material semiconductor.

Los FET pueden considerarse pues, como resistencias controladas por diferencia de potencial.

La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).

Sus símbolos esquemáticos son los siguientes (Canal N y Canal P respectivamente):

Para un FET de canal N, el dispositivo está construido a partir de una barra de material de tipo N, con áreas sombreadas compuestas de material tipo P como la Puerta:

Entre la fuente y el drenador, el material tipo N actúa como una resistencia. El flujo de corriente se compone de portadores mayoritarios (electrones en material de tipo N).